Le fabricant allemand de semi-conducteurs Infineon a obtenu, vendredi, une décision favorable du tribunal régional de Munich dans son contentieux en matière de brevets contre le groupe chinois Innoscience, portant sur la technologie au nitrure de gallium. Cette victoire judiciaire s’inscrit dans une série de procédures engagées simultanément en Allemagne et aux États-Unis, confirmant la volonté d’Infineon de défendre activement ses positions sur un marché stratégique à l’échelle mondiale.
Le tribunal de Munich interdit les produits GaN d’Innoscience en Allemagne
Le tribunal régional de Munich a tranché vendredi en faveur d’Infineon dans un litige l’opposant au groupe chinois Innoscience autour de l’utilisation non autorisée de technologies au nitrure de gallium protégées par des brevets détenus par l’entreprise allemande. La juridiction a conclu à une atteinte caractérisée à la propriété intellectuelle d’Infineon et a prononcé l’interdiction d’importation, de vente et de commercialisation sur le territoire allemand des produits jugés contrefaisants. Innoscience a par ailleurs été condamné au versement de dommages et intérêts, dont le montant précis n’a pas été rendu public par les parties.
Cette décision vient s’ajouter à deux condamnations antérieures déjà prononcées en Allemagne, respectivement en août 2025 et en juin 2026, dans le cadre du même contentieux. Elle illustre la stratégie judiciaire méthodique déployée par Infineon pour faire respecter son portefeuille de propriété intellectuelle face à un concurrent chinois dont la montée en puissance sur le segment du GaN est perçue comme une menace directe par les acteurs historiques du secteur.
Au-delà du territoire européen, la Commission américaine du commerce international, connue sous l’acronyme ITC, a elle aussi conclu en mai dernier à la violation d’un brevet d’Infineon par Innoscience dans le domaine du nitrure de gallium. D’autres procédures portant sur des brevets distincts restent encore en cours aux États-Unis, laissant entrevoir de nouveaux développements judiciaires dans les prochains mois.
Le nitrure de gallium, enjeu technologique et industriel de premier plan
Le nitrure de gallium s’est imposé comme l’une des technologies de rupture les plus critiques dans le domaine de l’électronique de puissance. Ses propriétés physiques lui confèrent des performances supérieures au silicium traditionnel en matière de rendement énergétique, de densité de puissance et de tolérance aux hautes températures. Ces caractéristiques en font un matériau de choix pour des applications aussi diverses que les infrastructures liées aux énergies renouvelables, les centres de données, les équipements d’automatisation industrielle et les véhicules électriques.
Dans ce contexte, la maîtrise des brevets associés à cette technologie représente bien plus qu’un avantage concurrentiel classique : elle constitue un levier de souveraineté industrielle. Pour les entreprises européennes et leurs partenaires, la capacité à contrôler l’accès aux innovations clés du GaN conditionne directement leur positionnement dans des filières en pleine expansion, depuis la mobilité électrique jusqu’à la transition énergétique, en passant par l’infrastructure numérique.
Infineon se positionne précisément comme le leader mondial de ce segment, fort d’un portefeuille de propriété intellectuelle regroupant près de 450 familles de brevets dans le domaine du GaN. Cette profondeur de portefeuille lui permet d’engager des actions en justice coordonnées sur plusieurs juridictions simultanément, une stratégie que la série de décisions favorables obtenues ces derniers mois vient valider.
Une dynamique boursière portée par les victoires judiciaires sur le GaN
Les marchés financiers ont immédiatement intégré cette nouvelle décision favorable. Vendredi après-midi à la Bourse de Francfort, l’action Infineon progressait de 1,8 %, dans un contexte de marché globalement haussier, le DAX 40 affichant de son côté une hausse de 0,9 %. Cette surperformance relative du titre reflète la confiance des investisseurs dans la solidité du modèle de protection intellectuelle du groupe.
Plus révélatrice encore est la performance annuelle du titre, qui enregistre une progression de près de 105 % depuis le début de l’année. Cette trajectoire exceptionnelle traduit à la fois l’appétit des marchés pour les acteurs positionnés sur les semi-conducteurs de nouvelle génération et la prime accordée aux entreprises capables de défendre efficacement leurs innovations face à la concurrence asiatique.
La confrontation juridique entre Infineon et Innoscience s’inscrit dans un contexte industriel plus large, marqué par l’intensification de la compétition sino-occidentale sur les matériaux semi-conducteurs avancés. Alors que les gouvernements européens et américains cherchent à réduire leurs dépendances technologiques vis-à-vis de la Chine, les batailles de brevets comme celle-ci constituent un front complémentaire, moins visible mais tout aussi structurant, de la rivalité technologique en cours. Pour les décideurs européens, le soutien aux entreprises capables de tenir ce front juridique représente un enjeu de compétitivité industrielle à long terme, bien au-delà du seul cas Infineon.
