La miniaturisation accélérée des composants électroniques impose une révolution silencieuse dans les technologies d’inspection des wafers. Face à des structures toujours plus denses et complexes, les méthodes traditionnelles montrent leurs limites. Dans ce contexte, Exosens met en avant une approche combinant imagerie en champ sombre et ultraviolet pour améliorer la détection des défauts critiques. Des défauts de plus en plus difficiles à identifier Dans l’industrie des semi-conducteurs, la qualité des wafers conditionne directement le rendement, la fiabilité et les délais de mise sur le marché. Or, à mesure que les nœuds technologiques avancent, les motifs deviennent si fins que les défauts tendent à se confondre avec les structures normales. Les techniques classiques d’inspection en champ clair (bright-field), basées sur la lumière réfléchie, peinent désormais à distinguer certains défauts critiques. Micro-rayures, ponts conducteurs ou particules de contamination peuvent ainsi passer inaperçus, augmentant le risque de défaillance des circuits. Le champ sombre,...
Inspection des semi-conducteurs : Exosens mise sur l’ultraviolet pour détecter les défauts invisibles
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