Inspection des semi-conducteurs : Exosens mise sur l’ultraviolet pour détecter les défauts invisibles

Table des matières

La miniaturisation accélérée des composants électroniques impose une révolution silencieuse dans les technologies d’inspection des wafers. Face à des structures toujours plus denses et complexes, les méthodes traditionnelles montrent leurs limites. Dans ce contexte, Exosens met en avant une approche combinant imagerie en champ sombre et ultraviolet pour améliorer la détection des défauts critiques. Des défauts de plus en plus difficiles à identifier Dans l’industrie des semi-conducteurs, la qualité des wafers conditionne directement le rendement, la fiabilité et les délais de mise sur le marché. Or, à mesure que les nœuds technologiques avancent, les motifs deviennent si fins que les défauts tendent à se confondre avec les structures normales. Les techniques classiques d’inspection en champ clair (bright-field), basées sur la lumière réfléchie, peinent désormais à distinguer certains défauts critiques. Micro-rayures, ponts conducteurs ou particules de contamination peuvent ainsi passer inaperçus, augmentant le risque de défaillance des circuits. Le champ sombre,...

L'adhésion Abonné est requise

Vous devez être Abonné pour accéder à ce contenu.

S’inscrire maintenant

Déjà membre ? Connectez-vous ici
Et si vous receviez notre newsletter mensuelle ?

    Plus d'articles

    Abonnez-vous à notre newsletter

    Une sélection d'articles, dans votre boîte mail. Rien d'autre, promis.

    Vous vous êtes abonné à la newsletter avec succès

    Une erreur est survenue lors de l'envoi de votre requête. Veuillez réessayer.

    Refrance : Revue Economique de France utilisera les informations que vous fournissez sur ce formulaire pour rester en contact avec vous et vous proposer des mises à jour et du marketing.